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 基本公司SiC碳化硅MOSFET正在替代高压变频器的IGBT！
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模块打造高压变频器！-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模块升级传统IGBT模块高压变频器，实现更高的高压变频器效率，更小的高压变频器体积重量！更低的高压变频器成本！
 
随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用基本公司碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本公司SiC碳化硅MOSFET！
 
倾佳电子（Changer Tech）致力于基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT，全力推动基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
 
倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET-国产替代英飞凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050... [详细介绍]